IBMi teadlased lõid 100 GHz kiibi

Grafeenil põhinev transistor on üsna pirakas 240 nanomeetrise “väravaga”, ränielektroonika on praegu kasutamas juba 45 nm protsessi ja sel aastal minemas üle 32 nm protsessile. Grafeeni omadused on taktsageduse tõusuks ülihead, sest materjal võimaldab elektronidel vabalt liikuda. Probleemiks on aga elektronivabade kohtade tekitamine, mis aitaks lülitada välja. Ka sel alal on näha progressi. 100 GHz peal pandi grafeenkiip tööle toatemperatuuril, kiirusvõitu annaks saada jahutamise abil. Tänase räni ja metallioksiidide kombinatsiooni maksimum tipneb ilmselt 40 GHz taktsagedusega.

Põhjalikumalt kirjutab The Register.

Lisa kommentaar

Fill in your details below or click an icon to log in:

WordPress.com Logo

You are commenting using your WordPress.com account. Log Out / Muuda )

Twitter picture

You are commenting using your Twitter account. Log Out / Muuda )

Facebook photo

You are commenting using your Facebook account. Log Out / Muuda )

Google+ photo

You are commenting using your Google+ account. Log Out / Muuda )

Connecting to %s

%d bloggers like this: