IBMi teadlased lõid 100 GHz kiibi

Grafeenil põhinev transistor on üsna pirakas 240 nanomeetrise “väravaga”, ränielektroonika on praegu kasutamas juba 45 nm protsessi ja sel aastal minemas üle 32 nm protsessile. Grafeeni omadused on taktsageduse tõusuks ülihead, sest materjal võimaldab elektronidel vabalt liikuda. Probleemiks on aga elektronivabade kohtade tekitamine, mis aitaks lülitada välja. Ka sel alal on näha progressi. 100 GHz peal pandi grafeenkiip tööle toatemperatuuril, kiirusvõitu annaks saada jahutamise abil. Tänase räni ja metallioksiidide kombinatsiooni maksimum tipneb ilmselt 40 GHz taktsagedusega.

Põhjalikumalt kirjutab The Register.

Advertisements

Lisa kommentaar

Täida nõutavad väljad või kliki ikoonile, et sisse logida:

WordPress.com Logo

Sa kommenteerid kasutades oma WordPress.com kontot. Logi välja / Muuda )

Twitter picture

Sa kommenteerid kasutades oma Twitter kontot. Logi välja / Muuda )

Facebook photo

Sa kommenteerid kasutades oma Facebook kontot. Logi välja / Muuda )

Google+ photo

Sa kommenteerid kasutades oma Google+ kontot. Logi välja / Muuda )

Connecting to %s

%d bloggers like this: